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1. Vcc电压 由G脚流向S脚 打开阀门2. HD电压 由D脚流向S脚 到地形成环路
www.kiaic.com/article/detail/2900.html 2021-07-05
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大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述KIA12N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速功率开关,如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器等。
www.kiaic.com/article/detail/2899.html 2021-07-02
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电感(一类电子元器件)一般指电感器电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。电感器的结构类似于变压器,但只有一个绕组。电感器具有一定的电感,它只阻碍电流的变化。
www.kiaic.com/article/detail/2898.html 2021-07-02
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输入部分有3个信号,12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供,ENB电压由主板上的MCU提供,其值为0或3V,当ENB=0时,Inverter不工作,而ENB=3V时,Inverter处于正常工作状态;
www.kiaic.com/article/detail/2897.html 2021-07-02
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600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述KIA10N6OHN沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速功率开关如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥到全桥的电子灯镇流器等。
www.kiaic.com/article/detail/2896.html 2021-07-01
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所谓的 H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的 H 桥电路,它由 2 个 P型场效应管 Q1、Q2 与 2 个 N 型场效应管 Q3、Q3 组成,所以它叫 P-NMOS 管 H 桥。
www.kiaic.com/article/detail/2895.html 2021-07-01
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栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P=FUQ,其中:F 为工作频率;U 为驱动输出电压的峰峰值;Q 为栅极电荷,可参考IGBT模块参数手册。
www.kiaic.com/article/detail/2894.html 2021-07-01
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MOS管原厂KNX4760A 600V8A-产品特征专业平面新技术RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V低栅极电荷使开关损耗最小化快恢复体二极管
www.kiaic.com/article/detail/2893.html 2021-06-30
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(1) 当V1输入高电平时,Q1、Q4导通,B通道输出高电平,Q2截止,C通道输出高电平,Q3导通,D通道输出高电平48V,由于C2两端电压14V,所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压,即电容C2的正极电压位62V左右,经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极,电容C2起到了自举...
www.kiaic.com/article/detail/2892.html 2021-06-30
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功率MOS管作为常用的半导体开关,其驱动方式有什么特点呢?首先,我们认为MOS管是电压控制型器件,其正常工作时是不需要电流的(开或关的稳态条件下),只要有维持电压,MOS管即可保持开启或关闭状态。
www.kiaic.com/article/detail/2891.html 2021-06-30
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三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
www.kiaic.com/article/detail/2890.html 2021-06-29
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图1的左边NPN管,蜂鸣器接在三极管的集电极,驱动信号是常见的3.3V或5VTTL,高电平导通,电阻按照经验法可以取4.7K。如左电路开通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V)/4.7K=0.9mA,可以使三极管完全饱和,但如果是右边电路用的是PNP管,蜂鸣器同样接在三极...
www.kiaic.com/article/detail/2889.html 2021-06-29
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PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合?大部分都是从工艺,导通电阻 Rds 来解释,但随着半导体工艺的进步,现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了,从 SOT-23 的封装来看,两者的大小也是差不多的。个人觉得,PMOS 用于电源开关更多是为了方便控制。...
www.kiaic.com/article/detail/2888.html 2021-06-29
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MOS管600V7A KNX4660A-产品概述KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高压而设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源,开关电源等。功率因数校正,基于半桥拓扑的电子灯镇流
www.kiaic.com/article/detail/2887.html 2021-06-28